薄膜铌酸锂强度调制器采⽤脊波导刻蚀与⾼温质⼦交换⼯艺制备，该产品利⽤中阶层和缓冲层两个材料体系共同作⽤，抑制薄膜结构的 DC 漂移，线性度⾼，不⽤搭配 TEC来稳定温度效应。性能⽅⾯，根据封装⼯艺不同，实现了25G、40G 和 60G 带宽，可⽤于⽤于 800G 相⼲光通信。有较低的RFVπ和插⼊损耗，在调制效率、偏正保持等指标都达到或超过传统体材料铌酸锂器件。